Name: Vishay Siliconix SI8416DB-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8416DB-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI8416DB-T1-GE3

Artikelnummer:

SI8416DB-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 8V 16A 6MICROFOOT

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI8416DB-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI8416DB-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Vgs (Max)	±5V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	6-microfoot
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	6-UFBGA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1470 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	16A (Tc)
Grundproduktnummer	SI8416
SI8416DB-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI8416DB-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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